软件系统开发定制今天介绍一下后端设计软件系统开发定制中的一些物理效应，这些物理效应在以前的老工艺中不太明显，但是工艺越先进，它们的影响就越大，Foundary必须在建库以及后端设计者必须在建版图绘制（对于模拟集成电路而言）或者布局布线（对于数字集成电路而言）中考虑这些物理效应，否则它们将影响电路的性能，甚至可能导致芯片Fail。
这些效应包括：
WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应
LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应
OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应
PSE: Poly Space Effect, 栅间距效应
WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应
考虑：90nm工艺时需要考虑
STI stress
考虑：0.25um工艺下使用STI浅槽隔离，利用CVD沉淀产生SiO2，而不是局部氧化LOCOS进行，防止SiO2对两侧器件产生应力。
LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应
考虑：在65nm之前的工艺制程中，OSE的影响并不明显，所以STI stress effect单纯指LOD effect。
OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应
考虑：在65nm之前的工艺制程中，OSE的影响并不明显，所以STI stress effect单纯指LOD effect。 而45nm以下的工艺制程，OSE的影响就不能再被忽略了。